Lugar de origem
Jiangsu, China
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Material da microplaqueta
InGaN
Emitindo-se a cor
Red Green Blue
Intensidade luminosa
50-60lm/W
Fluxo luminoso (lm)
5000-6000
Atenuação ótica (%)
0.0001
Ângulo de visão (°)
160 Deg
Índice de rendição de cor (Ra)
80
Temperatura de cor
3000-4000K 6000-6200K 7000-9000K
Temperatura de funcionamento (℃)
-30 - 80
Temperatura de armazenamento (℃)
-30 - 120
Lens Reflector
44-100mm lens