Lugar de origem
Guangdong, China
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Iluminação e design de circuitos
Tempo de vida (horas)
50000
Tempo de trabalho (horas)
50000
Material da microplaqueta
InGaN
Emitindo-se a cor
Branco fresco
Intensidade luminosa
90-100
Fluxo luminoso (lm)
250-280
Índice de rendição de cor (Ra)
80
Temperatura de funcionamento (℃)
-40 - 60
Temperatura de armazenamento (℃)
20 - 40
Keyword
electronic components,r infrared led chip,led chip
Forward Current
350mA 700mA 1300mA
Forward Voltage
2V 3.2-3.4v
Lamp Luminous Efficiency(lm/w)
90
Product name
Infrared emission lamp bead