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Vishay Semicondutores SUD90330E-GE3 MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-252
Ainda sem avaliações
Shenzhen Cactus Electronics Co., Ltd.
3 yrs
CN
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Principais atributos
Principal especificação da indústria
Número do Modelo
SUD90330E-GE3
Tipo
MOSFET
Marca
Vishay Semiconductors
Outros atributos
Tipo de montagem
/
Descrição descrição:
Vishay Semiconductors SUD90330E-GE3 MOSFET
Lugar de origem
United States
Pacote/Caixa
TO-252-3
Temperatura de operação
- 55 C to + 175 C
Tipo de Transistor
1 N-Channel
Product Category
MOSFET
Mounting Style
SMD/SMT
Transistor Polarity
N-Channel
Number of Channels
1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
35.8 A
Rds On - Drain-Source Resistance
31.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Pd - Power Dissipation
125 W
Embalagem e entrega
Porto
YANTIAN
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Tempo até a entrega
Quantidade (Peças)
1 - 6000
> 6000
Tempo estimado (dias)
3
A ser negociado
Personalização
Embalagem personalizada
Pedido Mínimo: 50000
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Descrições do produto pelo fornecedor
>= 2000 Peças
₩ 1.418
Quantidade
-
+
Envio
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