Lugar de origem
Jiangsu, China
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Material da microplaqueta
InGaN
Emitindo-se a cor
Branco fresco
Intensidade luminosa
110lm/w
Fluxo luminoso (lm)
100-110lm/w
Atenuação ótica (%)
0.0005
Ângulo de visão (°)
60/90/120/140 Deg
Índice de rendição de cor (Ra)
78
Temperatura de cor
6000-6500K
Temperatura de funcionamento (℃)
-30 - 80
Temperatura de armazenamento (℃)
-30 - 120