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Substrato epitaxial de silicone tipo P para wafer SiC Semicondutor de polimento de dupla face

Ainda sem avaliações
Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.3 yrsCN

Principais atributos

Outros atributos

Lugar de origem
Shanghai, China
Marca
XKH
Número do Modelo
SiC substrate
Tipo
Wafer SiC
Material
Carboneto de silício
Pagamento
De acordo com o cliente
Aplicação
Substrato/epitaxial
Densidade
3.21g/cm3
Tipo de substrato
Substrato sic
Condutividade térmica
4.9

Embalagem e entrega

Unidades de Venda:
Item único
Tamanho da embalagem única:
10X10X8 cm
Peso bruto único:
1.000 kg
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Tempo até a entrega

Quantidade (Peças)1 - 5 > 5
Tempo estimado (dias)60A ser negociado

Descrições do produto pelo fornecedor

Quantidade mínima de encomenda 5 Peças
CN¥ 2.898,56 - CN¥ 5.797,12

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