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STGW60H65DFB IGBT 650V 80A 375W TO-247 GW60H65DFB

Ainda sem avaliações

Principais atributos

Principal especificação da indústria

Número do Modelo
STGW60H65DFB
Tipo
MOSFET
Marca
original brand
Tipo do pacote
Através de orifício

Outros atributos

Tipo de montagem
Através do buraco
Descrição descrição:
Transistor
Lugar de origem
California, United States
Pacote/Caixa
Para-220-3
Tipo
Transistor triodo
Número da peça
Stgw60h65dfb
Vce (ligado) (max) @ vge, ic
2v @ 15v, 60a
Potência-max
375w
Energia de comutação
1.09mj (ligado), 626uj (desligado)
Tipo de entrada
Padrão
Carga do portão
306nc
Td (ligado/desligado) @ 25 °c
51ns/160ns
Condição de teste
400v, 60a, 5 ohm, 15v
Tempo de recuperação reversa (trr)
60ns

Tempo até a entrega

Quantidade (Peças)1 - 10000 > 10000
Tempo estimado (dias)5A ser negociado

Personalização

Embalagem personalizada
Pedido Mínimo: 99999

Descrições do produto pelo fornecedor

100 - 499 Peças
US$ 0,99
500 - 999 Peças
US$ 0,89
>= 1000 Peças
US$ 0,85

Quantidade

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