Descrição descrição:
Padrão
Lugar de origem
Guangdong, China
Potência nominal (pd)
300mw
Tensão de ruptura do emissor (vceo)
25v
Polaridade do transistor:
Npn
Pd-dissipação de energia:
1000 mw
Produto de ganho de largura de banda ft:
100 mhz
Temperatura mínima de operação:
-65 c
Temperatura máxima de operação:
+ 150 c