Tipo de montagem
Surface Mount
Descrição descrição:
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154" / 3.90mm Width)
Temperatura de Operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aplicação
De Propósito geral
Tipo de Fornecedor
Varejista
Referência cruzada:
SI4186DY-T1-GE3TR
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD
品名
Single FETs, MOSFETs, Transistors
Atual-Collector (Ic) (Max)
Original
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
10V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
Original
Atual-Collector Cutoff (Max)
35.8 A
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Original
Freqüência-Transição
Standard
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montagem
Montagem Em superfície
Resistor-Base (R1)
Original
Resistor-Emissor Base (R2)
Original
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
20 V
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250uA
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
3630 pF @ 10 V
Classificação da corrente (Ampères)
35.8A
Power-Saída
3W (Ta) 6W (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
Original
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
Original
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Consumo de corrente (Id)-Max
Standard
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
Original
-Resistência RDS (On)
Original
Da tensão de Saída-
Standard
Tensão-Offset (Vt)
Original
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
Original
-Corrente de Pico
Original
Aplicações
General Purpose
Tipo de Transistor
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3630 pF @ 10 V
Number of Channels
1 Channel
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)