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      SGT60T65FD1PN YC novo e original (Componentes eletrônicos circuitos integrados IC Chips Stock) SGT60T65FD1PN

      Ainda sem avaliações
      Shenzhen Yechen Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      SGT60T65FD1PN
      Tipo
      Transistor de potência
      Marca
      Original
      Tipo do pacote
      Original

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Padrão, Padrão
      Descrição descrição:
      Transistor
      Lugar de origem
      Guangdong, China
      Pacote/Caixa
      O original
      Tipo
      Mos
      Temperatura de Operação
      Padrão, Padrão
      Série
      Mos
      d/c
      23 +
      Aplicação
      Outros
      Tipo de Fornecedor
      O original
      Referência cruzada:
      O original
      Meios de comunicação Disponíveis
      O original
      品名
      Sgt60t65fd1pn
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      O original
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      O original
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      O original
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      O original
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      O original
      Power-Max
      Padrão
      Freqüência-Transição
      O original
      Temperatura de operação
      Padrão, temperatura normal
      Tipo de Montagem
      O original
      Resistor-Base (R1)
      O original
      Resistor-Emissor Base (R2)
      O original
      Tipo FET
      Padrão
      FET Recurso
      O original
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      O original
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      Padrão
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      O original
      Vgs (th) (Max) @ Id
      O original
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      Padrão
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      O original
      Freqüência
      O original
      Classificação da corrente (Ampères)
      O original
      Figura de ruído
      Padrão
      Power-Saída
      Padrão
      Tensão-Classificado
      O original
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      O original
      Vgs (Max)
      Padrão
      Tipo IGBT
      Padrão
      Configuração
      Padrão
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      O original
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      Padrão
      Entrada
      Padrão
      Termistor NTC
      O original
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      O original
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Padrão
      Consumo de corrente (Id)-Max
      O original
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      Padrão
      Tensão
      O original
      Da tensão de Saída-
      O original
      Tensão-Offset (Vt)
      O original
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      O original
      Atual-Vale (Iv)
      O original
      -Corrente de Pico
      O original
      Aplicações
      O original
      Tipo de Transistor
      O original
      Tempo de espera
      1-7day
      Fornecedor
      Tecnologia de shenzhen huanxin co., ltd.
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      Padrão
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      Embalagem personalizada
      Pedido Mínimo: 10000
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      Descrições do produto pelo fornecedor

      10 - 99 Peças
      TRY 41,05
      100 - 999 Peças
      TRY 30,45
      >= 1000 Peças
      TRY 27,37

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