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Categoria principal semicondutor do Si da bolacha do silicone 4 inch para o circuito integrado MEMS
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Principais atributos
Outros atributos
Lugar de origem
China
Marca
GaNova
Número do Modelo
JDCD06-001-009
Tipo
GaN Wafer
Diameter
4"
Grade
Prime
Growth Method
CZ
Thickness(μm)
525
Thickness Tolerance
Standard ± 25μm,Maximum Capabilities ± 5μm
Resistivity
0.001-100 ohm-cm
Useable Area
> 90% (edge exclusion)
TTV(μm)
Standard <10 um,Maximum Capabilities<5 um
Bow/Warp
Standard <40 um,Maximum Capabilities<20 um
Embalagem e entrega
Embalagem
Caixa
Porto
Shanghai
Capacidade de fornecimento
Capacidade de fornecimento
200000 Peça/Peças per Month
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Descrições do produto pelo fornecedor
25 - 99 Peças
US$ 21,00
>= 100 Peças
US$ 19,00
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