Tipo de montagem
Montagem de superfície
Descrição descrição:
Mosfet N-CH 60v 115ma sot23
Lugar de origem
Guangdong, China
Pacote/Caixa
Para-236-3 SC-59 sot-23-3
Temperatura de Operação
55 °c ~ 150 °c (tj)
Aplicação
De Propósito geral
Tipo de Fornecedor
Varejista
Referência cruzada:
2n7002-tp
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD
品名
Produtos semicondutores discretos
Atual-Collector (Ic) (Max)
115ma (ta)
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
60 v
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
Padrão
Atual-Collector Cutoff (Max)
115ma (ta)
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
115ma (ta)
Resistor-Base (R1)
7.5ohm 500ma 10v
Resistor-Emissor Base (R2)
7.5ohm 500ma 10v
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
60 v
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
115ma (ta), 115ma (ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5ohm 500ma 10v
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5v 250ua
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
50 pf 25 v
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
50 pf 25 v
Classificação da corrente (Ampères)
Padrão
Tensão-Classificado
5v, 10v
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
5v, 10v
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Padrão
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
50 pf 25 v
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
Padrão
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Padrão
Consumo de corrente (Id)-Max
Padrão
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
Padrão
-Resistência RDS (On)
Padrão
Da tensão de Saída-
Padrão
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
Padrão
Aplicações
Propósito geral
Tecnologia
Mosfet óxido de metal
Dissipação de energia (max)
200mw ta
Pacote de dispositivo fornecedor
Sot-23
Número do produto base
2n7002
Folhas de dados
2n7002 folha de dados
Módulos de treinamento de produtos
Manipulação e montagem de diodo