Lugar de origem
Guangdong, China
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Iluminação e design de circuitos
Tempo de vida (horas)
50000
Tempo de trabalho (horas)
30000
Material da microplaqueta
InGaN
Intensidade luminosa
120-140LM
Fluxo luminoso (lm)
120-140LM
Índice de rendição de cor (Ra)
80
Temperatura de cor
1800-6500K
Temperatura de funcionamento (℃)
-20 - 65
Temperatura de armazenamento (℃)
-20 - 85
Forward Current
1W 350MA/3W 700MA/5W 1000MA
Base material
Copper/Aluminum