Pacote/Caixa
TO-3P-3, SC-65-3
Tipo de Fornecedor
Fabricante Original, ODM, Agência, Varejista
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados, Foto
品名
MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
Atual-Collector (Ic) (Max)
-
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
-
Atual-Collector Cutoff (Max)
-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montagem
Através do orifício
Resistor-Emissor Base (R2)
-
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
300V
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250uA
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
4670pF @ 25V
Classificação da corrente (Ampères)
-
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
-
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
-
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo de corrente (Id)-Max
-
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
-
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250uA
Power Dissipation (Max)
500W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4670 pF @ 25 V