JORDONG RF MOSFET PLD-1 Amplificado Sinal Elétrico Comutação Circuito Controle De Potência Transistores MHT1008NT1

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Shenzhen Zhendongxin Electronic Technology Co., Ltd.

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CN

Principais atributos

Principal especificação da indústria

Número do Modelo

MHT1008NT1

Tipo

(RF MOSFET) Transistors

Marca

Original

Tipo do pacote

-

Outros atributos

Tipo de montagem

-

Descrição descrição:

(Rf mosfet) transistores

Lugar de origem

Original

Pacote/Caixa

PLD-1

Tipo

(Rf mosfet) transistores

Temperatura de Operação

-40 °C ~ 150 °C

Série

-

d/c

Novo

Aplicação

-

品名

-

Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)

-

Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

-

Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Temperatura de operação

-

Tipo de Montagem

-

Resistor-Base (R1)

-

Resistor-Emissor Base (R2)

-

FET Recurso

-

Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)

-

Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds

-

Freqüência

-

Classificação da corrente (Ampères)

-

Figura de ruído

-

Power-Saída

-

Tensão-Classificado

-

Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)

-

Tipo IGBT

-

Configuração

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Capacitância de entrada (Cas) @ Vce

-

Entrada

-

Termistor NTC

-

Tensão-Repartição (V (BR) GSS)

-

Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

-

Consumo de corrente (Id)-Max

-

Tensão-Corte (VGS off) @ Id

-

-Resistência RDS (On)

-

Tensão

-

Da tensão de Saída-

-

Tensão-Offset (Vt)

-

Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)

-

Atual-Vale (Iv)

-

-Corrente de Pico

-

Aplicações

-

Pagamento

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Envio por

Dhl \ ups \ fedex \ ems \ hk post

Condição

100% original

Garantia

1 ano

Moq

1 pcs

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1-3 dias de trabalho

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Pacote/caso

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Porto

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Capacidade de fornecimento

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Embalagem personalizada

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Descrições do produto pelo fornecedor

10 - 499 Peças

US$ 4,20

500 - 1999 Peças

US$ 3,70

2000 - 4999 Peças

US$ 3,20

>= 5000 Peças

US$ 2,70

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