Lugar de origem
Guangdong, China
Tensão de entrada (V)
1.5-2.2VDC 700mA
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Iluminação e design de circuitos, DIALux evo layout, LitePro DLX layout, Agi32 layout, Auto CAD layout, No local de medição, Instalação do projeto
Tempo de vida (horas)
50000
Tempo de trabalho (horas)
50000
Material da microplaqueta
AlGaInP
Emitindo-se a cor
Infrared
Intensidade luminosa
20000 mcd
Índice de rendição de cor (Ra)
NA
Temperatura de cor
Infrared 1300-1350nm
Temperatura de funcionamento (℃)
5 - 60
Temperatura de armazenamento (℃)
10 - 25
Product
Invisible Deep Infrared 1350nm LED IR 1-3W Chip
Wavelength
Infrared 1300-1350nm