Tipo de montagem
Através de buracos, Fixação de parafuso
Descrição descrição:
Bv ces = 1200v, Baixa perda de condução, Rápido & macio anti-paralelo fwd, Curto-circuito avaliado: 10us em tc = 100 °C, Pacote de tipo de isolamento
Número do Modelo
AKM4G75SH120G3BM
Lugar de origem
Zhejiang, China
atual
75a (tc = 100 °C), 100a (tc = 25 °C)
Configuração
Circuito de meia ponte, Transistor igbt, Diodo fwd anti-paralelo rápido & macio
Coletor de corrente (tc = 25 °C)
100a
Coletor de corrente (tc = 100 °C)
75a
Coletor pulsado atual
150a
Dissipação de potência máxima
300w
Tempo de recuperação reversa do diodo
1250ns