IC Sensor FotoDioda 900NM 2DIP BPW34

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Topsales Technology Shenzhen Co., Ltd.3 yrs

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Principais atributos

Principal especificação da indústria

Número do Modelo

BPW34

Tipo

MOSFET

Marca

new original

Tipo do pacote

Montagem Em superfície

Outros atributos

Tipo de montagem

BPW34

Descrição descrição:

BPW34

Lugar de origem

Guangdong, China

Pacote/Caixa

BPW34

Tipo

new original

Temperatura de Operação

-, -

Série

IRLML2502TRPBF

d/c

-, Newest

Aplicação

Tipo de Fornecedor

Fabricante Original

Referência cruzada:

Meios de comunicação Disponíveis

Original standard

品名

IRLML2502TRPBF

Atual-Collector (Ic) (Max)

Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)

Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

Atual-Collector Cutoff (Max)

Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Power-Max

Freqüência-Transição

Temperatura de operação

- 55C to +150C

Tipo de Montagem

Através do orifício

Resistor-Base (R1)

Resistor-Emissor Base (R2)

Tipo FET

FET Recurso

Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)

Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds

Freqüência

Classificação da corrente (Ampères)

Figura de ruído

Power-Saída

Tensão-Classificado

Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

Tipo IGBT

Configuração

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacitância de entrada (Cas) @ Vce

Entrada

Termistor NTC

Tensão-Repartição (V (BR) GSS)

Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Consumo de corrente (Id)-Max

Tensão-Corte (VGS off) @ Id

-Resistência RDS (On)

Tensão

Da tensão de Saída-

Tensão-Offset (Vt)

Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)

Atual-Vale (Iv)

-Corrente de Pico

Aplicações

Tipo de Transistor

Key words

BPW34

Mounting Style:

Through Hole

Peak Wavelength:

900 nm

Dark Current:

2 nA

Vr - Reverse Voltage:

60 V

Rise Time:

100 ns

Fall Time:

100 ns

Series:

Micro Timer II

Half Intensity Angle Degrees:

65 deg

Part number

BPW34

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