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Placa wafer de carboneto de silício resistente a altas temperaturas para dispositivos eletrônicos/transistor de efeito semicondutor de óxido metálico MOSFET

Ainda sem avaliações

Principais atributos

Principal especificação da indústria

Material
Carboneto de silício

Outros atributos

Lugar de origem
Hunan, China
Tipo
placa de Cerâmica
Aplicação
Cerâmica Industrial
Número do Modelo
Atcera
Marca
Atcera
Serviço de processamento
Flexão, Soldagem, Corte
Product name
SiC Wafer
Diameter
4inch/6inch
Material
SiC Single Crystal 4h-N
Thicnkss
0.35mm-0.5mm
Application
research test for epitaxial growth

Embalagem e entrega

Unidades de Venda:
Item único
Tamanho da embalagem única:
5X7X2 cm
Peso bruto único:
0.580 kg

Tempo até a entrega

Quantidade (Peças)1 - 500501 - 50005001 - 10000 > 10000
Tempo estimado (dias)152530A ser negociado
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Amostras

Quantidade máxima de encomenda: 5 Peça
Preço da amostra:
US$ 100,00/Peça

Personalização

Logotipo personalizado
Pedido Mínimo: 100
Personaliza??o gráfica
Pedido Mínimo: 100

Descrições do produto pelo fornecedor

Quantidade mínima de encomenda 1 Peça
US$ 100,00 - US$ 600,00

Quantidade

Envio

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