Lugar de origem
Guangdong, China
Tensão de entrada (V)
2.0-4.0v
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Iluminação e design de circuitos, Instalação do projeto
Tempo de vida (horas)
30000
Tempo de trabalho (horas)
30000
Peso do produto (kg)
0.002
Material da microplaqueta
InGaN
Intensidade luminosa
1000-4000mw
Fluxo luminoso (lm)
1000-4000mw
Índice de rendição de cor (Ra)
0
Temperatura de funcionamento (℃)
-20-70
Temperatura de armazenamento (℃)
-20 - 100
Nome do produto
3535 5050 ir led 700nm 810nm 850nm 940nm 950nm 980nm
Corrente para frente
1500ma
Tensão para frente
2.0-4.0v
Marca de chip
Chip epileds/chip epistar/chip lg
Comprimento de onda
700-980nm
Cor clara
Infravermelho distante vermelho
Aplicação
Monitoramento de segurança, projetor infravermelho, reconhecimento de íris