Lugar de origem
Guangdong, China
Tensão de entrada (V)
2.0-2.6V
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Fonte de luz
Tempo de vida (horas)
50000
Tempo de trabalho (horas)
50000
Material da microplaqueta
InGaN
Emitindo-se a cor
Vermelho escuro
Fluxo luminoso (lm)
30-50lm
Ângulo de visão (°)
120/140
Índice de rendição de cor (Ra)
70
Temperatura de funcionamento (℃)
-20 - 65
Temperatura de armazenamento (℃)
-20 - 65
Tensão para a frente
2.0-2.6V
Corrente em avanço
350-700mA
Comprimento de onda
650nm-660 nm -665nm
Tipo de produto
3W LED de Alta Potência 660nm
Chip Quatity
Um único chip
Palavra chave
High Power led para planta crescer
Poder
1W, 2W, 3W, 4w, 5W opcional
Outras cores
Bi-cor, Verde, Âmbar, Amarelo, UV, IR
Chips de LED
Chip de Taiwan
Outro Comprimento de Onda
440nm, 420nm, 430nm, 450nm, 520nm, 620nm 740nm
Lâmpada Eficiência Luminosa (lm/w)
50