Descrição descrição:
Original
Lugar de origem
Original brand
Aplicação
Transistor/todos
Tipo de Fornecedor
Fabricante Original, Outros
Referência cruzada:
Padrão
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados
品名
Mosfet P-CH 30v 2.5a 6-tsop
Atual-Collector (Ic) (Max)
Padrão
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
Padrão
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
Padrão
Atual-Collector Cutoff (Max)
Padrão
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Padrão
Freqüência-Transição
Padrão
Temperatura de operação
-55 °c ~ 150 °c (tj), -55 °c ~ 150 °c (tj)
Tipo de Montagem
Montagem Em superfície
Resistor-Emissor Base (R2)
Padrão
FET Recurso
Carboneto de silício (SiC)
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
30v, 30v
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
2.5a (ta), 2.5a (ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mohm @ 3.5a, 10v, 100mohm @ 3.5a, 10v
Vgs (th) (Max) @ Id
3v 250a
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
13nc @ 10v, 13nc @ 10v
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
480pf @ 5v, 480pf @ 5v
Classificação da corrente (Ampères)
Padrão
Tensão-Classificado
Padrão
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
4.5v, 10v
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Padrão
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
Padrão
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
Padrão
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Padrão
Consumo de corrente (Id)-Max
Padrão
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
Padrão
-Resistência RDS (On)
Padrão
Da tensão de Saída-
Padrão
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
Padrão
100% novo original
Garantia de qualidade
Pronta entrega
Garantia de qualidade
Bom serviço
Garantia de qualidade