Lugar de origem
Guangdong, China
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Material da microplaqueta
InGaN
Intensidade luminosa
110-120lm/w
Fluxo luminoso (lm)
11000-12000lm
Índice de rendição de cor (Ra)
70
Temperatura de cor
5000-6000 k
Temperatura de funcionamento (℃)
-40 - 60
Temperatura de armazenamento (℃)
-40 - 85
Chip Quantity&Connection
40:10 series 4 parallels
Forward Voltage/Current
28-34V/3.1A
Technology&Material
Flip Chip&No gold wire soldering
Application
High Bay Light;Ballon Light;Explosion-proof Light, etc