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      FQPF8N60C HuanXin MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F Transistor MOSFET 8N60 FQPF 8N60C FQPF8N60C

      Ainda sem avaliações2 vendido(s)
      Shenzhen Huanxin Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      Original
      Tipo
      Transistores
      Marca
      Original
      Tipo do pacote
      Original

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Padrão
      Descrição descrição:
      Transistor
      Lugar de origem
      Guangdong, China
      Pacote/Caixa
      Padrão
      Tipo
      Transistor
      Temperatura de Operação
      Padrão
      Série
      Original
      d/c
      Novo
      Tipo de Fornecedor
      Fabricante Original
      Meios de comunicação Disponíveis
      Folha de dados
      品名
      Original
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      Padrão
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      Padrão
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      Padrão
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      Padrão
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Padrão
      Power-Max
      Padrão
      Freqüência-Transição
      Padrão
      Temperatura de operação
      Standard
      Resistor-Base (R1)
      Padrão
      Resistor-Emissor Base (R2)
      Padrão
      Tipo FET
      Padrão
      FET Recurso
      Padrão
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      Padrão
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      Padrão
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Padrão
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Padrão
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      Padrão
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      Padrão
      Freqüência
      Padrão
      Classificação da corrente (Ampères)
      Padrão
      Figura de ruído
      Padrão
      Power-Saída
      Padrão
      Tensão-Classificado
      Padrão
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      Padrão
      Vgs (Max)
      Padrão
      Tipo IGBT
      Padrão
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Padrão
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      Padrão
      Entrada
      Padrão
      Termistor NTC
      Padrão
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      Padrão
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Padrão
      Consumo de corrente (Id)-Max
      Padrão
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      Padrão
      -Resistência RDS (On)
      Padrão
      Tensão
      Padrão
      Da tensão de Saída-
      Padrão
      Tensão-Offset (Vt)
      Padrão
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      Padrão
      Atual-Vale (Iv)
      Padrão
      -Corrente de Pico
      Padrão
      Aplicações
      Padrão
      Tempo de espera
      1-7 dias
      Embalagem
      Original
      Fornecedores
      Tecnologia de shenzhen huanxin co., ltd.

      Embalagem e entrega

      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      20X10X5 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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      Quantidade (Peças)1 - 1000 > 1000
      Tempo estimado (dias)3A ser negociado
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      Embalagem personalizada
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      Personaliza??o gráfica
      Pedido Mínimo: 10000
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      Descrições do produto pelo fornecedor

      >= 1 Peças
      US$ 0,09

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