Descrição descrição:
Transistores igbt n-ch/60a 600v fs
Aplicação
Par de transistor
Tipo de Fornecedor
Agência
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD, Outros
Atual-Collector (Ic) (Max)
120 um
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
600 v
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
2.9v @ 15v, 60a
Atual-Collector Cutoff (Max)
180a
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Temperatura de operação
-55 c ~ + 150 c
Tipo de Montagem
Através do orifício
Resistor-Emissor Base (R2)
-
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
-
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
-
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
-
Classificação da corrente (Ampères)
-
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
-
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo de corrente (Id)-Max
-
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
-
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
-
Categoria de produto
Transistores igbt
Pagamento
Paypal \ tt \ western union \ trade assurance
Qualidade
De alta qualidade
Condição
Marca nova e original
Forma de envio
Dhl \ ups \ fedex \ tnt \ ems \ aramex