Tipo de montagem
Através do buraco
Descrição descrição:
Transistor
Lugar de origem
Guangdong, China
Tipo de Fornecedor
Fabricante Original
Atual-Collector (Ic) (Max)
-
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
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Tipo de Montagem
Montagem Em superfície
Resistor-Emissor Base (R2)
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Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
-
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
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Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
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Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
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Classificação da corrente (Ampères)
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Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
--
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
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Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
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Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
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Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
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Tensão-Corte (VGS off) @ Id
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Estilo de montagem
Smd/smt
Vds-tensão de ruptura da fonte de drenagem
100 v
Id-corrente de drenagem contínua
11 a
Rds na fonte de drenagem resistência
265 mohms
Vgs-porta-fonte de tensão
-16 v, + 16 v
Vgs th-porta-fonte de tensão limite
1.8 v
Temperatura mínima de operação
-55 c
Temperatura máxima de operação
+ 175 c
Pd-dissipação de potência
48 w