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      DTC114EET1G Transistores Bipolares de Sinal Pequeno Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 circuitos integrados DTC114EET1G

      Ainda sem avaliações
      Shenzhen Xingyaosheng Technology Co., Ltd.3 yrsCN
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      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      DTC114EET1G
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original
      Tipo do pacote
      Montagem Em superfície

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Standard
      Descrição descrição:
      Standard
      Lugar de origem
      Guangdong, China
      Pacote/Caixa
      SC-75, SOT-416
      Tipo
      Bipolar Transistor
      Temperatura de Operação
      -55℃ ~ 150℃
      d/c
      NEW
      Aplicação
      Power Management, Industrial
      Tipo de Fornecedor
      Fabricante Original, Other
      Meios de comunicação Disponíveis
      Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD, Other
      品名
      TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      100mA
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      50V
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      250mV @ 300uA, 10mA
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      500nA
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      35 @ 5mA, 10V
      Power-Max
      200mW
      Freqüência-Transição
      50MHz
      Temperatura de operação
      -
      Tipo de Montagem
      Através do orifício
      Resistor-Base (R1)
      10 kOhms
      Resistor-Emissor Base (R2)
      10 kOhms
      Tipo FET
      N-Channel
      FET Recurso
      Não Aplicável
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      100V
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      170mA (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      6Ohm @ 100mA, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2.6V @ 1mA
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      180nC @ 10V
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      20pF @ 25V
      Freqüência
      -
      Classificação da corrente (Ampères)
      70.0 mA
      Figura de ruído
      -
      Power-Saída
      200 mW
      Tensão-Classificado
      50.0 V
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      10V
      Vgs (Max)
      ±20V
      Tipo IGBT
      -
      Configuração
      Não Aplicável
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      -
      Entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      -
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Consumo de corrente (Id)-Max
      -
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      -
      -Resistência RDS (On)
      -
      Tensão
      50.0 V
      Da tensão de Saída-
      ≥300 mV
      Tensão-Offset (Vt)
      -
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      -
      Atual-Vale (Iv)
      -
      -Corrente de Pico
      -
      Aplicações
      Power Management, Industrial
      Bom Service
      Available
      Product type
      Electronic Component
      Price
      Factory Price
      Grade
      High Quality
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