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DDR3-1866 1GB (64MX16)1.07NS CL1 K4B1G1646I-BYMA000
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Principais atributos
Outros atributos
Lugar de origem
Guangdong, China
Marca
Samsung Semiconductor, Inc.
Número do Modelo
K4B1G1646I-BYMA000
Tipo de montagem
DDR3-1866 1gb (64mx16) 1,07ns cl1
Descrição descrição:
DDR3-1866 1gb (64mx16) 1,07ns cl1
Aplicação
Civil
Tipo
DDR3-1866 1gb (64mx16) 1,07ns cl1
Série
DDR3-1866 1gb (64mx16) 1,07ns cl1
Características características:
Novo
Código de data de fabricação
Novo
Modelo
K4B1G1646I-BYMA000
Marca
Semicondutor samsung, inc.
Tipo de concha
DDR3-1866 1gb (64mx16) 1,07ns cl1
Código de data
Novo
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Em estoque
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| Tempo estimado (dias) | 1 | 3 | 5 | A ser negociado |
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