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BoYan N Tipo Prime Grade Único Cristal Espessura Duplo Lado Polido Silicon Wafer Semiconductor

Ainda sem avaliações3 pedidos

Principais atributos

Outros atributos

Lugar de origem
Jiangsu, China

Marca
BoYan

Número do Modelo
BY-SW-002

Tipo
Wafer de silício

Growth method
CZ FZmethod

Type
Intrinsic

Orientation
100 110 111

Resistivity
0.001-0.005/100~25000 Ω.cm

Diameter
1inch ~8inch

Polishing Side
SSP or DSP

Surface roughness
≤5A

Packing
100 degree ultra-clean polybag

TTV
<=10um

Thickness
300~675um

Embalagem e entrega

Embalagem
100 grau polybag ultra-limpo

Porto
Shanghai

Capacidade de fornecimento

Capacidade de fornecimento
10000000 Peça/Peças per Month

Tempo até a entrega

Quantidade (Peças)1 - 2526 - 200 > 200
Tempo estimado (dias)1530A ser negociado

Personalização

Logotipo personalizado
Pedido Mínimo: 1000000
Embalagem personalizada
Pedido Mínimo: 1000000
Personaliza??o gráfica
Pedido Mínimo: 1000000

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