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BSC093N15NS5ATMA1 MOSFET (Óxido de Metal) 1 Transistores FETs de canal N monofásico FETs produtos semicondutores discretos Potência MOSFET SMD

Ainda sem avaliações

Principais atributos

Principal especificação da indústria

Número do Modelo
BSC093N15NS5ATMA1
Tipo
MOSFET
Marca
original brand
Tipo do pacote
Montagem Em superfície

Outros atributos

Tipo de montagem
Surface Mount
Descrição descrição:
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Lugar de origem
original
Pacote/Caixa
8-PowerTDFN
Tipo
N-Channel
Temperatura de Operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
OptiMOS
d/c
newest
Aplicação
De Propósito geral
Tipo de Fornecedor
Varejista
Referência cruzada:
BSC093N15NS5ATMA1-ND
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD
品名
Transistors
Atual-Collector (Ic) (Max)
original standard
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
same as original
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
original standard
Atual-Collector Cutoff (Max)
same as original
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
original standard
Power-Max
139W(Tc)
Freqüência-Transição
same as original
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de Montagem
Montagem Em superfície
Resistor-Base (R1)
original standard
Resistor-Emissor Base (R2)
same as original
Tipo FET
N-Channel
FET Recurso
original standard
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
150 V
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
87A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.6V @ 107uA
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
3230 pF @ 75 V
Freqüência
original standard
Classificação da corrente (Ampères)
same as original
Figura de ruído
original standard
Power-Saída
139W(Tc)
Tensão-Classificado
same as original
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
8V,10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo IGBT
original standard
Configuração
Single Quad Drain Triple Source
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
same as original
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
original standard
Entrada
same as original
Termistor NTC
original standard
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
same as original
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
original standard
Consumo de corrente (Id)-Max
same as original
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
original standard
-Resistência RDS (On)
same as original
Tensão
original standard
Da tensão de Saída-
same as original
Tensão-Offset (Vt)
original standard
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
same as original
Atual-Vale (Iv)
original standard
-Corrente de Pico
same as original
Aplicações
GENERAL PURPOSE
Tipo de Transistor
N-Channel
SPQ
5k/reel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Rise Time:
4.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:
14.4 ns
Typical Turn-On Delay Time:
14 ns
Fall Time:
3.8 ns
Forward Transconductance - Min:
34 S
Channel Mode:
Enhancement
PCB changed
8
Unit Weight:
0.003683 oz

Embalagem e entrega

Unidades de Venda:
Item único
Tamanho da embalagem única:
19X19X10 cm
Peso bruto único:
1.000 kg

Tempo até a entrega

Quantidade (Peças)1 - 5000 > 5000
Tempo estimado (dias)15A ser negociado
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Amostras

Quantidade máxima de encomenda: 1 Peça
Preço da amostra:
US$ 1,50/Peça

Personalização

Embalagem personalizada
Pedido Mínimo: 5000

Descrições do produto pelo fornecedor

>= 5000 Peças
US$ 1,50

Variações

Total de opções:

Envio

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