Lugar de origem
Jiangsu, China
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Material da microplaqueta
InGaN
Fluxo luminoso (lm)
30-40lm
Atenuação ótica (%)
0.0001
Ângulo de visão (°)
60/90/120/140 reg
Índice de rendição de cor (Ra)
78
Temperatura de cor
730nm 740nm 750nm 770nm
Temperatura de funcionamento (℃)
-30-80
Temperatura de armazenamento (℃)
-30 - 120