Substrato/wafer SiC semi-isolado 6H-N para dispositivos de semicondutores avançados JFETs

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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.3 yrs

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Principais atributos

Outros atributos

Lugar de origem

Shanghai, China

Marca

XINKEHUI

Número do Modelo

SiC Wafers

Tipo

Wafer SiC

Grade

P R D

Diameter

150.0 mm +/- 0.2 mm

Thickness

500 um +/- 25 um for 4H-SI350 um +/- 25 um for 4H-N

Micropipe Density

1 cm-2

Electrical Resistivity(Ohm-cm)

0.015~0.025 >1E5

Doping Concentration

N-type: ~ 1E18/cm3SI-type (V-doped): ~ 5E18/cm3

Primary Flat (N type)

{10-10} +/- 5.0 deg

Primary Flat Length (N type)

47.5 mm +/- 2.0 mm

Notch (Semi-Insulating type)

Notch

Edge exclusion

3 mm

Embalagem e entrega

Unidades de Venda:

Item único

Tamanho da embalagem única:

10X10X5 cm

Peso bruto único:

0.500 kg

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Quantidade (Peças)	1 - 5	6 - 100	> 100
Tempo estimado (dias)	15	60	A ser negociado

Personalização

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Pedido Mínimo: 1

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Pedido Mínimo: 1

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Pedido Mínimo: 1

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CN¥ 1.449,28

>= 50 Peças

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