Lugar de origem
Jiangsu, China
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Material da microplaqueta
InGaN
Emitindo-se a cor
620-625-630-660nm
Intensidade luminosa
100lm/w
Fluxo luminoso (lm)
90-100lm
Atenuação ótica (%)
0.0001
Ângulo de visão (°)
120/140 reg
Índice de rendição de cor (Ra)
70
Temperatura de cor
2000-3000-5000-6000-25000k
Temperatura de funcionamento (℃)
-30-80
Temperatura de armazenamento (℃)
-30 - 120
Marca de chip
Epileds 42x42mil
Lúmens
90-100lm (620-630nm) 70-80lm(660nm)
Chip
Taiwan de alta qualidade
Dissipador de calor
20mm ou oem pcb
Solda
190 de solda por refluxo-260 grau <3nds