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      60N60 Novo e original transistor IGBT SGT60N60 60T60 IGBT 60A 600V SGT60N60FD1PN

      Ainda sem avaliações260 vendido(s)
      Shenzhen Yuchuan Electronics Co., Ltd.5 yrsCN

      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      SGT60N60FD1
      Tipo
      Suporte
      Marca
      original
      Tipo do pacote
      TO-3P

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Sgt60n60
      Descrição descrição:
      Sgt60n60
      Lugar de origem
      SILAN
      Pacote/Caixa
      Suporte
      Tipo
      Entre em contato com o serviço ao cliente
      Temperatura de Operação
      Entre em contato com o serviço ao cliente
      d/c
      Dentro de 2
      Aplicação
      Entre em contato com o serviço ao cliente
      Tipo de Fornecedor
      Fabricante Original, ODM, Agência
      品名
      Igbt
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      Suporte
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      Suporte
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Suporte
      Temperatura de operação
      Suporte
      Tipo de Montagem
      Suporte
      Resistor-Base (R1)
      Suporte
      Resistor-Emissor Base (R2)
      Suporte
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      Suporte
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      Suporte
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Suporte
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Suporte
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      Suporte
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      Estande
      Freqüência
      Suporte
      Classificação da corrente (Ampères)
      Suporte
      Figura de ruído
      Suporte
      Power-Saída
      Suporte
      Tensão-Classificado
      Suporte
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      Suporte
      Vgs (Max)
      Suporte
      Tipo IGBT
      Estande
      Configuração
      Suporte
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Suporte
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      Suporte
      Entrada
      Suporte
      Termistor NTC
      Suporte
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      Suporte
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Suporte
      Consumo de corrente (Id)-Max
      Suporte
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      Suporte
      -Resistência RDS (On)
      Suporte
      Tensão
      Suporte
      Da tensão de Saída-
      Suporte
      Tensão-Offset (Vt)
      Suporte
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      Suporte
      Atual-Vale (Iv)
      Suporte
      -Corrente de Pico
      Suporte
      Tipo
      Transistor de efeito de campo
      Nome do produto
      Igbt de parada de campo
      Vceo
      600 v
      Atual
      60a
      Pacote
      247, tubo
      Qg
      198 nc
      Temperatura operacional
      -55 °C ~ 150 °C
      Qualidade
      100% marca 100% original
      D/c
      2018 +
      Dissipação de energia
      378 w

      Embalagem e entrega

      Embalagem
      Tubo e caixa padrão
      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      5X3X1 cm
      Peso bruto único:
      0.010 kg
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      Quantidade (Peças)1 - 500501 - 10000 > 10000
      Tempo estimado (dias)25A ser negociado

      Personalização

      Logotipo personalizado
      Pedido Mínimo: 100000
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      Descrições do produto pelo fornecedor

      1 - 999 Peças
      € 0,8838
      1000 - 9999 Peças
      € 0,8373
      >= 10000 Peças
      € 0,828

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