Transistor único 60n60 fgh60n60 «ixgh60n60» igbt, 120a 600v 378w dip»
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Principais atributos
Principal especificação da indústria
Número do Modelo
FGH60N60SFTU
Tipo
Transistor IGBT
Marca
Original
Tipo do pacote
Through Hole
Outros atributos
Tipo de montagem
Through Hole
Descrição descrição:
FGH60N60SFTU Transistors
Lugar de origem
China
Pacote/Caixa
TO-247-3
Tipo
Discrete Semiconductor Products
Temperatura de Operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
Transistor
d/c
New
Aplicação
IGBT Transistor
品名
FGH60N60SFTU
Atual-Collector (Ic) (Max)
120A
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
600V
Atual-Collector Cutoff (Max)
180A
Power-Max
378W
Freqüência-Transição
1.79mJ (on) 670uJ (off)
Temperatura de operação
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Tipo de Montagem
Através do orifício
Tipo IGBT
Field Stop
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 60A
Entrada
Standard
Switching Energy
1.79mJ (on), 670uJ (off)
Gate Charge
198 nC
Td (on/off) @ 25℃
22ns/134ns
Test Condition
400V, 60A, 5Ohm, 15V
Tempo até a entrega
| Quantidade (Peças) | 1 - 10000 | > 10000 |
| Tempo estimado (dias) | 3 | A ser negociado |
Personalização
PCBA
Pedido Mínimo: 1
SMT
Pedido Mínimo: 1
PCB
Pedido Mínimo: 1
BOM
Pedido Mínimo: 1
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Descrições do produto pelo fornecedor
>= 1 Peças
IDR 1.660
Variações
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