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6 polegadas alta qualidade silício monocristalino hastes

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Principais atributos

Outros atributos

Lugar de origem
Jiangsu, China
Marca
henglixin
Número do Modelo
N and P
Tipo
Wafer de silício
Growth method
CZ or MCZ
Crystal orientation
100
Deviation of crystal orientation
0 ± 1°
Dopants
phosphorus
Resistivity (Ω.cm)
1-100 or >100
Radial resistivity change
<15%@6mm
Oxygen content (ppma)
8-18(New ASTM)
Change in radial oxygen content
<10%@10mm
Carbon content (ppma)
≤1
Dislocation density (pcs/cm2)
0

Tempo até a entrega

Quantidade (Quilogramas)1 - 12 - 100101 - 1000 > 1000
Tempo estimado (dias)142828A ser negociado

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Embalagem personalizada
Pedido Mínimo: 20

Descrições do produto pelo fornecedor

1 - 99 Quilogramas
€ 103,83
100 - 999 Quilogramas
€ 99,11
>= 1000 Quilogramas
€ 94,39

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