Transistor MOSFET de potência de canal N 15A 650V para pacote 220F com baixa resistência de estado para fontes de energia

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Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yr

Principais atributos

Principal especificação da indústria

Número do Modelo

AKF15N65P

Tipo

MOSFET

Marca

AIKO

Tipo do pacote

TO-220F

Outros atributos

Tipo de montagem

through holes

Descrição descrição:

Low Intrinsic Capacitances, Excellent Switching Characteristics, Extended Safe Operating Area, Unrivalled Gate Charge, 100% Avalanche Tested

Lugar de origem

Zhejiang, China

Pacote/Caixa

TO-220F

Tipo

MOSFET transistor

Temperatura de Operação

-55℃~+150℃

Série

MOSFET

Aplicação

high efficient DC to DC converters

Tipo de Fornecedor

Fabricante Original, ODM

Meios de comunicação Disponíveis

Folha de dados, Foto

品名

AKF15N65P 650V 15A N-Channel Power MOSFET

Atual-Collector (Ic) (Max)

15A(TC=25℃), 9.5A(TC=100℃)

Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)

650V

Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

30V

Atual-Collector Cutoff (Max)

15A

Power-Max

60W

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C

Tipo de Montagem

Através do orifício

Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)

650V

Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.52 Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs

63nC

Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds

2450pF @ 25V

Classificação da corrente (Ampères)

15A

Tensão-Classificado

650V

Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)

2.0V

Vgs (Max)

4.0V

Configuração

Único

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

10V

Capacitância de entrada (Cas) @ Vce

2450pF

Tensão-Repartição (V (BR) GSS)

650V

Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

10-100uA

Consumo de corrente (Id)-Max

15A

Tensão-Corte (VGS off) @ Id

30V

-Resistência RDS (On)

0.52 Ohm(Max.)

Da tensão de Saída-

650V

Tensão-Offset (Vt)

±30V

Atual-Vale (Iv)

9.5A

-Corrente de Pico

15A

Aplicações

fast switching

Tipo de Transistor

MOSFET transistor, N-Channel, Enhancement Mode

VDSS

650V

VGSS

±30V

Drain Current(TC=25℃)

15A

Drain Current(TC=100℃)

9.5A

Single Pulse Avalanche Energy

920mJ

Maximum Power Dissipation(TC=25℃)

60W

Gate-body leakage Current, Forward

100nA

Gate Threshold Voltage

2-4V

Application 1

UPS Applications

Application 2

DC-DC Converters and AC-DC Power Supply

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