Tipo de montagem
Através de buracos
Descrição descrição:
Baixa resistência, Teste de avalanche de 100%, Boa estabilidade e uniformidade com altos eas, Tecnologia de processo especial para alta capacidade esd
Lugar de origem
Zhejiang, China
Temperatura de Operação
-55 °C ~ + 150 °C
Aplicação
Fontes de alimentação de alta tensão
Tipo de Fornecedor
Fabricante Original, ODM
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados, Foto
品名
Akqpf3n100c2 1000v 3a n-canal de energia mosfet
Atual-Collector (Ic) (Max)
3a (tc = 25 °C), 1,9a (tc = 100 °C)
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
1000v
Atual-Collector Cutoff (Max)
12a
Temperatura de operação
-55 °c ~ 150 °c
Tipo de Montagem
Através do orifício
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
1000v
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
3a
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3 ohm
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
15nc
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
620pf
Classificação da corrente (Ampères)
3a
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
3-5v
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
1000v
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
10ua
Consumo de corrente (Id)-Max
3a
-Resistência RDS (On)
3.0 ohm
Aplicações
Fontes de alimentação de modo comutado
Tipo de Transistor
Transistor mosfet, N-canal, Modo de aprimoramento
Corrente de drenagem (tc = 25 °C)
3a
Corrente de drenagem (tc = 100 °C)
1.9a
Energia de avalanche de pulso único
96mj
Dissipação de potência máxima (tc = 25 °C)
39w
Tempo de atraso de desligamento
49ns
Carga total do portão
15nc
Aplicação 1
Fontes de alimentação de modo comutado
Aplicação 2
Balastros eletrônicos