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10.0*10.5 mm2 fedoped c-avião de apoio gan livre, semicondutor para dispositivo rf

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Principais atributos

Outros atributos

Lugar de origem
China
Marca
GaNova
Número do Modelo
JDCD01-001-003
Tipo
GaN Wafer
Item
GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10
Dimensions
10 x 10.5 mm2
Thickness
350 ±25μm
Conduction Type
N-type N-type Semi-Insulating
Orientation
C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ±0.15°
TTV
≤ 10μm
BOW
- 10μm ≤ BOW ≤ 10μm
Dislocation Density
From 1 x 10^5 to 3 x 10^6cm-² (calculated by CL)*
Macro Defect Density
0 cm-²
Useable Area
> 90% (edge exclusion)

Embalagem e entrega

Embalagem
carton
Porto
Shanghai

Capacidade de fornecimento

Capacidade de fornecimento
100000 Peça/Peças per Month

Descrições do produto pelo fornecedor

>= 6 Peças
US$ 265,00

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