Tipo de montagem
Through hole
Descrição descrição:
1.8mm NPN Phototransistor SGPT2055B
Lugar de origem
Guangdong, China
Tipo
NPN silicon phototransistor
Temperatura de Operação
-20~+85℃
Aplicação
De Propósito geral
Tipo de Fornecedor
Fabricante Original
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados
品名
1.8x2.4x3.3mm Phototransistor SGPT2055B
Atual-Collector (Ic) (Max)
20mA
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
30V
Temperatura de operação
-20~+85℃
Tipo de Montagem
Através do orifício
Aplicações
Infrared applied system
Range of Spectral Bandwidth
840-1100nm
Wavelength of Peak Sensitivity
940nm
Collector Emitter Breakdown Voltage
>30 V
Emitter Collector Breakdown Voltage
>6 V
Collector Dark Current
<100 nA
Collector Emitter Saturation Voltage
<=0.2 V
On State Collector Current
2.0 mA