Tensão de entrada (V)
1.0-1.6v
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Diodo emissor de luz
Material da microplaqueta
InGaN
Intensidade luminosa
Alta potência radiante
Ângulo de visão (°)
120/140
Índice de rendição de cor (Ra)
70
Temperatura de funcionamento (℃)
-20-65
Temperatura de armazenamento (℃)
-20-65
Tensão para frente
1.1-1.8v
Corrente para frente
350-700ma
Comprimento de onda
1080 nm-1100nm
Tipo de produto
3w de alta potência ir led
Comprimento de onda opcional
1000nm 1020nm 1050nm 1100nm 1150nm 1550nm
Faixa de potência
1-500w disponível
Outro comprimento de onda
700nm, 750nm, 760nm, 780nm, 810nm, 880nm, 1100 nm, 1310nm
Chips de led
Chip de taiwan
Outros módulos
Smd 3535 5050 6070 8090 5074 6868