Lugar de origem
Jiangsu, China
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Material da microplaqueta
InGaN
Emitindo-se a cor
Vermelho-vermelho
Fluxo luminoso (lm)
80-90lm
Ângulo de visão (°)
60/90/120/140 Deg
Índice de rendição de cor (Ra)
78
Temperatura de cor
590-595nm
Temperatura de funcionamento (℃)
-30 - 80
Temperatura de armazenamento (℃)
-30 - 120