Descrição descrição:
Padrão
Lugar de origem
California, United States
Tipo de Fornecedor
Fabricante Original, ODM, Agência, Varejista
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados, Foto
品名
Mosfet N-CH 600v 9.5a TO-220F
Atual-Collector (Ic) (Max)
-
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
-
Atual-Collector Cutoff (Max)
-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Temperatura de operação
-55 °c ~ 150 °c (tj)
Tipo de Montagem
Através do orifício
Resistor-Emissor Base (R2)
-
FET Recurso
Logic Nível Portão
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
600v
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
57nc @ 10v
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
2040pf @ 25v
Classificação da corrente (Ampères)
-
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10v
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
-
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
-
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo de corrente (Id)-Max
-
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
-
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
-
Número do modelo
Fqpf10n60c
Dreno atual-contínuo (id) @ 25 °c
9.5a (tc)
Tensão de acionamento (max rds ligado, min rds ligado)
10v
Rds on (max) @ id, vgs
730mohm @ 4.75a, 10v
Vgs(th) (max) @ id
4v @ 250ua
Dissipação de energia (max)
50w (tc)
Dreno para a tensão da fonte (vdss)
600 v
Carga de portão (qg) (max) @ vgs
57 nc @ 10 v
Número do produto base
Fqpf10