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      2N5457 MCU Circuitos integrados Transistor de potência Transistor bipolar JFET N-CH 25V TO92-3 2N5457

      Ainda sem avaliações
      Shenzhen Yichuanyang Electronic Technology Co., Ltd.1 yrCN
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      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      2N5457

      Tipo
      Transistor

      Marca
      Original

      Tipo do pacote
      TO92-3

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Buraco de passagem

      Descrição descrição:
      Transistores

      Lugar de origem
      Singapore

      Pacote/Caixa
      TO92-3

      Tipo
      Transistores

      Temperatura de Operação
      Padrão

      Série
      Transistores

      d/c
      23 +

      Aplicação
      Projetos de consumo/grau industrial

      Tipo de Fornecedor
      ODM, Outros

      Atual-Collector (Ic) (Max)
      Padrão

      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      Padrão

      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      Padrão

      Atual-Collector Cutoff (Max)
      Padrão

      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Padrão

      Power-Max
      Padrão

      Freqüência-Transição
      Padrão

      Temperatura de operação
      standard

      Tipo de Montagem
      Montagem Em superfície

      Resistor-Base (R1)
      Padrão

      Resistor-Emissor Base (R2)
      Padrão

      Tipo FET
      Padrão

      FET Recurso
      Padrão

      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      Padrão

      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      Padrão

      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Padrão

      Vgs (th) (Max) @ Id
      Padrão

      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      Padrão

      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      Padrão

      Freqüência
      Padrão

      Classificação da corrente (Ampères)
      Padrão

      Figura de ruído
      Padrão

      Power-Saída
      Padrão

      Tensão-Classificado
      Padrão

      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      Padrão

      Vgs (Max)
      Padrão

      Tipo IGBT
      Padrão

      Configuração
      T-Tipo

      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Padrão

      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      Padrão

      Entrada
      Padrão

      Termistor NTC
      Padrão

      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      Padrão

      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Padrão

      Consumo de corrente (Id)-Max
      Padrão

      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      Padrão

      -Resistência RDS (On)
      Padrão

      Tensão
      Padrão

      Da tensão de Saída-
      Padrão

      Tensão-Offset (Vt)
      Padrão

      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      Padrão

      Atual-Vale (Iv)
      Padrão

      -Corrente de Pico
      Padrão

      Aplicações
      Padrão

      Tipo de Transistor
      Padrão

      Ic
      Transistores

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      Shenzhen Yichuanyang Electronic Technology Co., Ltd.
      1 anoLocalizado em CN
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