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      «Igbt trincheira parar 650 v 80 a 375 w através do buraco para-247 transistor

      Ainda sem avaliações4 pedidos
      Shenzhen Yuzens Technologies Co. Ltd.10 yrsCN
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      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      STGW60H65DFB
      Tipo
      Transistor IGBT
      Marca
      Original Brand
      Tipo do pacote
      Através de orifício

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Mergulho
      Descrição descrição:
      Transistor
      Lugar de origem
      Kelantan, Malaysia
      Pacote/Caixa
      Tubo
      Tipo
      Mosfet
      Temperatura de Operação
      -45 ° ~ 85 °
      Série
      Novo
      d/c
      Novo
      Aplicação
      De Propósito geral
      Tipo de Fornecedor
      Varejista
      Referência cruzada:
      Stgw60h65dfb
      Meios de comunicação Disponíveis
      Folha de dados, Foto
      品名
      Transistor
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      -
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      -
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      -
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      -
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Power-Max
      -
      Freqüência-Transição
      -
      Temperatura de operação
      -
      Tipo de Montagem
      Através do orifício
      Resistor-Base (R1)
      -
      Resistor-Emissor Base (R2)
      -
      Tipo FET
      -
      FET Recurso
      -
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      -
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      -
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      --
      Freqüência
      -
      Classificação da corrente (Ampères)
      -
      Figura de ruído
      -
      Power-Saída
      --
      Tensão-Classificado
      -
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT
      -
      Configuração
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      -
      Entrada
      --
      Termistor NTC
      -
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      -
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Consumo de corrente (Id)-Max
      -
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      --
      -Resistência RDS (On)
      -
      Tensão
      -
      Da tensão de Saída-
      -
      Tensão-Offset (Vt)
      -
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      --
      Atual-Vale (Iv)
      -
      -Corrente de Pico
      -
      Aplicações
      Placa de circuito
      Tipo de Transistor
      -
      Preço unitário
      Por favor pergunte ao vendedor
      Skype
      Yuzens-ela
      E-mail
      Ela @ yuzens.com
      Item
      Stgw60h65dfb
      Nome
      Igbt 650v 80a 375w para 247
      Produto
      Campo de trincheira igbt parar 650 v 80 a 375 w através de buraco a 247

      Embalagem e entrega

      Embalagem
      Our whole sale orders are shipping from China
      1. Each component, module will pack into Anti Static Bags.
      2. We will wrap every item separately in plastic bag, and put material details label.
      3. Finally, all goods will pack into outer cartons.
      We accept customized package to meet different requirements.
      Porto
      Shenzhen
      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      25X15X5 cm
      Peso bruto único:
      3.000 kg

      Capacidade de fornecimento

      Capacidade de fornecimento
      10000 Peça/Peças per Month
      Mostrar mais

      Tempo até a entrega

      Quantidade (Peças)1 - 10 > 10
      Tempo estimado (dias)2A ser negociado
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      Amostras

      Quantidade máxima de encomenda: 1 Peça
      Preço da amostra:
      SAR 32,46/Peça

      Personalização

      Embalagem personalizada
      Pedido Mínimo: 10000
      Para mais detalhes de personalização, envie uma mensagem ao fornecedor

      Descrições do produto pelo fornecedor

      10 - 2999 Peças
      SAR 26,16
      >= 3000 Peças
      SAR 7,11

      Variações

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