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«Igbt transistor único 80a 600v 115w dip TO-3PF»
Ainda sem avaliações
Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.
Fabricante personalizado
3 yrs
CN
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Principais atributos
Principal especificação da indústria
Número do Modelo
FGAF40N60SMD
Tipo
Transistor IGBT
Marca
Original
Tipo do pacote
Através do Orifício
Outros atributos
Lugar de origem
China
Pacote/Caixa
TO-3PF
d/c
Nova
Aplicação
Transistor IGBT
品名
FGAF40N60SMD
Atual-Collector (Ic) (Max)
80A
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
600V
Atual-Collector Cutoff (Max)
120A
Power-Max
115W
Freqüência-Transição
870uJ (on), 260uJ (off)
Temperatura de operação
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo de Montagem
Através do orifício
Tipo IGBT
Campo Parar
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Entrada
Padrão
Comutação de Energia
870uJ (on), 260uJ (off)
Carga da porta
119 nC
Td (on/off) @ 25 ℃
12ns/92ns
Condição de teste
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Embalagem e entrega
Porto
Shenzhen
Capacidade de fornecimento
Capacidade de fornecimento
10000 Peça/Peças per Week
Mostrar mais
Tempo até a entrega
Quantidade (Peças)
1 - 10000
> 10000
Tempo estimado (dias)
3
A ser negociado
Descrições do produto pelo fornecedor
>= 1 Peças
€ 0,0935
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