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      Boa qualidade MMBT2222A, 215 Transistores Únicos Bipolares (BJT) Transistor Automotivo TO-236AB

      Ainda sem avaliações
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      MMBT2222A 215
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      original brand
      Tipo do pacote
      Montagem Em superfície

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Montagem de superfície
      Descrição descrição:
      Trans npn 40v 0.6a to236ab
      Lugar de origem
      original
      Pacote/Caixa
      Para-236-3 SC-59 sot-23-3
      Tipo
      Npn
      Temperatura de Operação
      150 °c (tj)
      Série
      Original
      d/c
      Mais novo
      Aplicação
      Automotivo
      Tipo de Fornecedor
      Varejista
      Referência cruzada:
      Mmbt2222a t/r
      Meios de comunicação Disponíveis
      Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD
      品名
      Transistores
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      600 ma
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      40 v
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      1v @ 50ma 500ma
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      10na (icbo)
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      100 @ 150ma 10v
      Power-Max
      250 mw
      Freqüência-Transição
      300mhz
      Temperatura de operação
      150°C (TJ)
      Tipo de Montagem
      Montagem Em superfície
      Resistor-Base (R1)
      O mesmo que o original
      Resistor-Emissor Base (R2)
      Padrão original
      Tipo FET
      Npn
      FET Recurso
      O mesmo que o original
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      Padrão original
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      O mesmo que o original
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Padrão original
      Vgs (th) (Max) @ Id
      O mesmo que o original
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      Padrão original
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      O mesmo que o original
      Freqüência
      Padrão original
      Classificação da corrente (Ampères)
      O mesmo que o original
      Figura de ruído
      Padrão original
      Power-Saída
      O mesmo que o original
      Tensão-Classificado
      Padrão original
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      O mesmo que o original
      Vgs (Max)
      Padrão original
      Tipo IGBT
      O mesmo que o original
      Configuração
      Único
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      O mesmo que o original
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      Padrão original
      Entrada
      O mesmo que o original
      Termistor NTC
      Padrão original
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      O mesmo que o original
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Padrão original
      Consumo de corrente (Id)-Max
      O mesmo que o original
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      Padrão original
      -Resistência RDS (On)
      O mesmo que o original
      Tensão
      Padrão original
      Da tensão de Saída-
      O mesmo que o original
      Tensão-Offset (Vt)
      Padrão original
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      O mesmo que o original
      Atual-Vale (Iv)
      Padrão original
      -Corrente de Pico
      O mesmo que o original
      Aplicações
      Automotivo
      Tipo de Transistor
      Npn
      Spq
      3k/carretel
      Qualificação:
      AEC-Q101
      Coletor-base de tensão vcbo:
      75 v
      Emissor-base de tensão vebo:
      6 v
      Tecnologia:
      Si
      Unidade de peso:
      0.002046 oz
      Número de elementos por chip
      1
      Pcb alterado
      3
      Contagem de pinos
      3
      Forma de chumbo
      Asa de gaivota

      Embalagem e entrega

      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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