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      UMG5NTR Pre-Biased Bipolar Transistor 2 NPN Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount

      Ainda sem avaliações
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      UMG5NTR
      Tipo
      Transistor Bipolar
      Marca
      Original Brand
      Tipo do pacote
      5-tssop & SC-70-5 & sot-353

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Montagem de superfície
      Descrição descrição:
      Trans 2npn prebias 0.15w umt5
      Lugar de origem
      Original
      Pacote/Caixa
      5-tssop & SC-70-5 & sot-353
      Tipo
      2 npn-pré-tendencioso (dual)
      Temperatura de Operação
      Padrão original
      Série
      Original
      d/c
      Mais novo
      Aplicação
      De Propósito geral
      Tipo de Fornecedor
      Varejista
      Referência cruzada:
      Umg5nct
      Meios de comunicação Disponíveis
      Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD
      品名
      Transistor bipolar
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      100ma
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      50v
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      Original
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      500na
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      68 @ 5ma, 5v
      Power-Max
      150mw
      Freqüência-Transição
      Original
      Temperatura de operação
      Original
      Tipo de Montagem
      Montagem Em superfície
      Resistor-Base (R1)
      10kohm
      Resistor-Emissor Base (R2)
      47kohm
      Tipo FET
      Original
      FET Recurso
      Padrão
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      Original
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      Original
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Original
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Original
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      Original
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      Original
      Freqüência
      250mhz
      Classificação da corrente (Ampères)
      Original
      Figura de ruído
      Original
      Power-Saída
      150mw
      Tensão-Classificado
      Padrão
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      Original
      Vgs (Max)
      Original
      Tipo IGBT
      Original
      Configuração
      Original
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Original
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      Original
      Entrada
      Original
      Termistor NTC
      Original
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      Original
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Original
      Consumo de corrente (Id)-Max
      Original
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      Original
      -Resistência RDS (On)
      Original
      Tensão
      Original
      Da tensão de Saída-
      Original
      Tensão-Offset (Vt)
      Original
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      Original
      Atual-Vale (Iv)
      Original
      -Corrente de Pico
      Original
      Aplicações
      Propósito geral
      Tipo de Transistor
      2 npn-pré-tendencioso (dual)
      Status da peça
      Ativo
      Pacote de dispositivo fornecedor
      Umt5
      Número do produto base
      Umg5
      Status rohs
      Compatível com rohs3
      Nível de sensibilidade à umidade (msl)
      1 (ilimitado)
      Estilo de montagem
      Smd/smt
      Configuração
      Emissor comum duplo
      Coletor dc/ganho de base hfe min
      68
      Vceo de tensão coletor-emissor max
      50 v
      Pacote padrão
      3000pcs/carretel

      Embalagem e entrega

      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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