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      Transistores mosfet BSG0811NDATMA1 Mosfet Array 25V 19A, 41A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8 transistor

      Ainda sem avaliações
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      BSG0811NDATMA1
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original Brand
      Tipo do pacote
      8-powertdfn

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Montagem de superfície
      Descrição descrição:
      Mosfet 2n-ch 25v 19a/41a tison8
      Lugar de origem
      Original
      Pacote/Caixa
      8-powertdfn
      Tipo
      N-canal
      Temperatura de Operação
      -55 °c ~ 150 °c (tj)
      Série
      Optihos
      d/c
      Mais novo
      Aplicação
      De Propósito geral
      Tipo de Fornecedor
      Varejista
      Meios de comunicação Disponíveis
      Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD
      品名
      Transistor
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      Padrão
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      Original
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      Padrão
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      Padrão
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Original
      Power-Max
      2.5w
      Freqüência-Transição
      Original
      Temperatura de operação
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Tipo de Montagem
      Montagem Em superfície
      Resistor-Base (R1)
      Original
      Resistor-Emissor Base (R2)
      Original
      Tipo FET
      Mosfet
      FET Recurso
      Original
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      25v
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      19A, 41A
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      3mohm @ 20a 10v
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2v @ 250ua
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      8.4nc @ 4.5v
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      1100pf @ 12v
      Freqüência
      Original
      Classificação da corrente (Ampères)
      Original
      Figura de ruído
      Padrão
      Power-Saída
      2.5w
      Tensão-Classificado
      Original
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      Original
      Vgs (Max)
      2v @ 250ua
      Tipo IGBT
      Original
      Configuração
      Padrão
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Padrão
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      Original
      Entrada
      Original
      Termistor NTC
      Original
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      Original
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Padrão
      Consumo de corrente (Id)-Max
      Padrão
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      Padrão
      -Resistência RDS (On)
      Original
      Tensão
      Original
      Da tensão de Saída-
      Padrão
      Tensão-Offset (Vt)
      Padrão
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      Original
      Atual-Vale (Iv)
      Padrão
      -Corrente de Pico
      Original
      Aplicações
      Propósito geral
      Tipo de Transistor
      2 n-canal (dual) assimétrico
      Status da peça
      Ativo
      Tecnologia
      Mosfet (óxido de metal)
      Configuração
      2 n-canal (dual) assimétrico
      Recurso fet
      Portão de nível lógico, 4.5v drive
      Dreno atual-contínuo (id) @ 25 °c
      19a, 41a
      Rds on (max) @ id, vgs
      3mohm @ 20a, 10v
      Contagem de pinos
      8
      Pacote padrão
      5000pcs/carretel
      Nível de sensibilidade à umidade (msl)
      1 (ilimitado)
      Status rohs
      Compatível com rohs3

      Embalagem e entrega

      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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      Tempo até a entrega

      Quantidade (Peças)1 - 5000 > 5000
      Tempo estimado (dias)15A ser negociado
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