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      Transistores STD7NM60N FETs Potência MOSFET (Óxido de Metal) Fets Únicos 1 N-Canal 600 V 5A (Tc) 45 W (Tc) 0,84 Ohm Montagem em Superfície DPAK

      Ainda sem avaliações
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      STD7NM60N
      Tipo
      Transistores
      Marca
      original
      Tipo do pacote
      Montagem Em superfície

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Montagem de superfície
      Descrição descrição:
      Mosfet N-CH 600v 5a dpak
      Lugar de origem
      original
      Pacote/Caixa
      Para-252-3 dpak (2 leads + tab) SC-63
      Tipo
      N-canal
      Temperatura de Operação
      150 °c (tj)
      Série
      Mdmesh ii
      d/c
      Mais novo
      Aplicação
      De Propósito geral
      Tipo de Fornecedor
      Varejista
      Referência cruzada:
      497-11042-1
      Meios de comunicação Disponíveis
      Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD, Outros
      品名
      Transistores fets
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      O mesmo que o original
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      Padrão original
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      O mesmo que o original
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      Padrão original
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      O mesmo que o original
      Power-Max
      Padrão original
      Freqüência-Transição
      O mesmo que o original
      Temperatura de operação
      150°C (TJ)
      Tipo de Montagem
      Montagem Em superfície
      Resistor-Base (R1)
      O mesmo que o original
      Resistor-Emissor Base (R2)
      Padrão original
      Tipo FET
      N-canal
      FET Recurso
      O mesmo que o original
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      600 v
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      5a (tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      900mohm @ 2.5a 10v
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4v @ 250ua
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      14 nc @ 10 v
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      363 pf @ 50 v
      Freqüência
      O mesmo que o original
      Classificação da corrente (Ampères)
      Padrão original
      Figura de ruído
      O mesmo que o original
      Power-Saída
      45w (tc)
      Tensão-Classificado
      Padrão original
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      O mesmo que o original
      Vgs (Max)
      ± 25v
      Tipo IGBT
      Padrão original
      Configuração
      Único
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      O mesmo que o original
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      Padrão original
      Entrada
      O mesmo que o original
      Termistor NTC
      Padrão original
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      O mesmo que o original
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Padrão original
      Consumo de corrente (Id)-Max
      O mesmo que o original
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      Padrão original
      -Resistência RDS (On)
      O mesmo que o original
      Tensão
      Padrão original
      Da tensão de Saída-
      O mesmo que o original
      Tensão-Offset (Vt)
      Padrão original
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      O mesmo que o original
      Atual-Vale (Iv)
      Padrão original
      -Corrente de Pico
      O mesmo que o original
      Aplicações
      Propósito geral
      Tipo de Transistor
      N-canal
      Spq
      2.5k/r
      Número de canais:
      1 canal
      Tecnologia:
      Si
      Unidade de peso:
      0.011640 oz
      Pcb alterado
      2
      Contagem de pinos
      3
      Forma de chumbo
      Asa de gaivota
      Modo canal
      Realce
      Alcançar o status
      Alcance não afetado
      Eccn
      Ear99

      Embalagem e entrega

      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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      Quantidade (Peças)1 - 2500 > 2500
      Tempo estimado (dias)15A ser negociado
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