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      SGT75T65SDM1P7 75T65S IGBT TO-247 650V/75A

      Ainda sem avaliações4 pedidos#9Mais Popular em Transistores
      Shenzhen Jinlibo Electronic Technology Co., Ltd3 yrsCN
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      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      original
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      original
      Tipo do pacote
      Através de orifício

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Através do buraco
      Descrição descrição:
      Mosfet
      Lugar de origem
      Guangdong, China
      Pacote/Caixa
      Padrão
      Série
      Padrão
      d/c
      Novo
      Aplicação
      Mosfet
      Tipo de Fornecedor
      Fabricante Original
      Referência cruzada:
      Padrão
      Meios de comunicação Disponíveis
      Folha de dados
      品名
      Igbt
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      Padrão
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      Padrão
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      Padrão
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      Padrão
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Padrão
      Power-Max
      Padrão
      Freqüência-Transição
      Padrão
      Temperatura de operação
      Padrão
      Tipo de Montagem
      Através do orifício
      Resistor-Base (R1)
      Padrão
      Resistor-Emissor Base (R2)
      Padrão
      Tipo FET
      Padrão
      FET Recurso
      Padrão
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      Padrão
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      Padrão
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Padrão
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Padrão
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      Padrão
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      Padrão
      Freqüência
      Padrão
      Classificação da corrente (Ampères)
      Padrão
      Figura de ruído
      Padrão
      Power-Saída
      Padrão
      Tensão-Classificado
      Padrão
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      Padrão
      Vgs (Max)
      Padrão
      Tipo IGBT
      Padrão
      Configuração
      Padrão
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Padrão
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      Padrão
      Entrada
      Padrão
      Termistor NTC
      Padrão
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      Padrão
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Padrão
      Consumo de corrente (Id)-Max
      Padrão
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      Padrão
      -Resistência RDS (On)
      Padrão
      Tensão
      Padrão
      Da tensão de Saída-
      Padrão
      Tensão-Offset (Vt)
      Padrão
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      Padrão
      Atual-Vale (Iv)
      Padrão
      -Corrente de Pico
      Padrão
      Aplicações
      Padrão
      Dc
      Novo

      Embalagem e entrega

      Embalagem
      CAIXA
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      HK SHENZHEN

      Capacidade de fornecimento

      Capacidade de fornecimento
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